石墨烯基系統邊緣的異常電子性質，源自其電子波函數的偽自旋特征及其非平凡的拓撲結構。表現在材料之字形狀邊緣明顯的零能電子態的出現，該電子態對這種系統中的層間傳輸具有重要作用。在這項工作中，我們利用獨特的實驗裝置和電子輸運計算來定量區分邊緣輸運和散裝輸運，這表明它們的相對貢獻在很大程度上取決于角度堆疊構型和層間電勢。此外，我們發現，盡管邊緣狀態在接觸器圓周上很強地局部化，但即使存在邊緣紊亂，在不相稱的界面中的邊緣傳輸也可以控制高達2μm的接觸直徑。在本研究中揭示的邊緣和大量傳輸貢獻之間的復雜相互作用，可能會對納米扭曲石墨烯基電子產品的實際應用產生深遠的影響。
Fig. 1 石墨接觸中邊緣和體層間輸運貢獻的實驗測定。
Fig. 2 邊緣和大塊界面傳導的重構與應用的偏置電壓。
Fig. 3 計算界面透射率和波函數分布。
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Fig. 4 計算界面透射率、電流、和邊緣到體積的交叉條件。
相關研究成果于2020年由以色列理工學院Elad Koren課題組，發表在Nature Communications(https://doi.org/10.1038/s41467-020-18597-0)上。原文：The scaling laws of edge vs. bulk interlayer conduction in mesoscale twisted graphitic interfaces。
轉自《石墨烯雜志》公眾號：
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