魯汶大學NAPS/IMCN實驗室的B. Hackens團隊與亞琛工業(yè)大學的C. Stampfer團隊合作，揭示了石墨烯中“量子霍爾效應”的新的詳細顯微圖片。這一突破之所以成為可能，要歸功于Nicolas Moreau（博士生，由FRIA獎學金資助）獲得的實驗數據，使用自制的“掃描門顯微鏡”能夠在石墨烯器件內的納米尺度上對電荷載流子的行為進行成像。
傳統(tǒng)上，當垂直于載流導體施加磁場時，電荷會偏向導體的邊緣，然后導致橫向電壓的出現(xiàn)：霍爾電壓。當電荷被限制在一層非常薄的導電材料（最終，像石墨烯這樣的一個原子厚的導體）中，并且在低溫和高磁場下測量霍爾電壓時，可以達到霍爾效應的量子版本。在這種情況下，電荷在材料邊緣傳播的通道是完美的一維“邊緣態(tài)”，由于樣品內部存在絕緣區(qū)域，電荷反向散射被禁止（邊緣態(tài)被稱為“拓撲保護”），霍爾電壓被量化。測量確實表明，將電流除以霍爾電壓會產生通用常數e2/h的整數倍，其中e是電子電荷，h是普朗克常數。出于這個原因，量子霍爾效應成為計量學的核心工具，既可以測量基本常數，又可以在所有計量機構中設計極其精確的電阻標準。
原則上，石墨烯中的量子霍爾效應本質上比其他二維系統(tǒng)更強大：在這種材料中甚至在室溫下也觀察到了這種效應。然而，最近的觀察表明，石墨烯中量子霍爾效應的常規(guī)圖片并不能解釋所有的觀察結果。例如，即使樣品內部不絕緣，也可以測量量子霍爾特征。Nicolas Moreau獲得的圖像顯示，在這種情況下電荷反向散射的“熱點”可以在石墨烯器件的所有邊緣找到。這種實驗觀察可以在量子霍爾效應的新顯微圖片的框架中進行解釋，其中量子霍爾通道不是位于樣品的相對邊緣，而是沿著相同的樣品邊緣以相反的方向傳播。觀察到的熱點對應于具有離散能級集的缺陷的位置。在這些缺陷的位置，電荷可以通過可用的空能級在反向傳播的邊緣狀態(tài)之間形成隧道。
這種新機制就是石墨烯量子霍爾效應的“致命點”。幸運的是，它是可以避免的：反向傳播邊緣狀態(tài)的存在與靜電有關，并且可以調整設備設計來克服這個問題。除了提供對這種基本量子效應的新理解之外，這項工作因此構成了朝著石墨烯中量子霍爾標準的穩(wěn)健設計邁出的重要一步。
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Figure. （a）一種研究樣品的示意圖。
石墨烯由兩層絕緣六方氮化硼（藍色）保護，并定義了收縮形狀。四個金屬觸點（金）用于測量設備的電阻Rxx。背柵允許調整石墨烯電荷載流子密度。最后，尖銳的金屬尖端由電壓V尖端偏置，用于發(fā)現(xiàn)在量子霍爾機制中電荷載流子的反向散射發(fā)生的位置。（b）樣本邊緣的能量景觀示意圖（a 中的橙色區(qū)域，紅色邊框）。在高磁場下，能量被量化（遵循潛在景觀的藍色層）并且一維邊緣通道出現(xiàn)在這些水平與費米能量 EF（電化學勢能）交叉的地方。在這里，反向傳播的邊緣通道沿著相同的邊緣（藍色和紅色）流動，并且它們之間會出現(xiàn)一個反點（環(huán)），從而觸發(fā)電荷載流子反向散射。
摘自《The Graphene Council》網站
