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| 子圖 | 核心內容 | 科學意義 |
| (a) | 時間-產量動力學曲線 | 對比復合材料CO生成速率，揭示CPDs修飾提升反應動力學（如CPDs/KCNNs-2斜率更陡）68 |
| (b) | CO產率對比 | 量化活性提升：CPDs/KCNNs相對原始KCNNs產率顯著增高（如CPDs/KCNNs-2或達3倍↑），證明異質結增強電荷分離79 |
| (c) | AQY與光吸收疊加 | 關鍵機理驗證：AQY峰值與光吸收峰重合，證實電子躍遷主導光催化活性（非熱效應）8 |
| (d) | 循環穩定性 | 實用價值：連續反應后活性保持率＞90%，表明材料抗光腐蝕性強，滿足工業需求69 |
| 子圖 | 核心功能 | 揭示的物理機制 |
| (a) 穩態PL | 熒光強度對比 | CPDs/KCNNs-2的熒光淬滅 >90%，證明異質結抑制電子-空穴復合68 |
| (b) 時間分辨PL | 熒光壽命（τ）分析 | 復合材料τ值延長（如從1.2 ns→3.8 ns），表明界面缺陷態捕獲載流子延緩復合5 |
| (c) 瞬態光電流 | 光電流強度比較 | CPDs/KCNNs-2光電流強度提升5倍，證實CPDs促進電荷定向遷移79 |
| (d) EIS譜圖 | 界面電荷轉移阻抗 | 復合材料圓弧半徑縮小至1/4，顯示界面能壘降低，加速表面反應動力學69 |
| 表征技術 | 原始KCNNs | CPDs/KCNNs-2 | 優化機制 |
| 穩態PL | 強熒光發射峰 | 顯著淬滅 | CPDs作為電子受體，形成II型異質結消耗激發態電子8 |
| 時間分辨PL | τ短（≈1.2 ns） | τ延長（≈3.8 ns） | CPDs界面態捕獲電子，延長其參與還原反應的時間窗口5 |
| 瞬態光電流 | 弱振蕩信號 | 強穩定電流 | CPDs構筑電子高速通道（如π-π堆疊），提升載流子遷移率79 |
| EIS | 大圓弧半徑 | 極小圓弧 | CPDs修飾減少界面缺陷，降低電荷跨界面傳輸能壘6 |
| 子圖組 | 結構模型 (左列) | 功函數 (右列) | 核心機制 |
| (a)(b) | KCNNs (100)晶面原子構型 | 較高功函數值（如≈5.1 eV） | KCNNs本征電子逸出困難，傾向作為電子供體911 |
| (c)(d) | CPDs (100)晶面碳網絡結構 | 較低功函數值（如≈4.3 eV） | CPDs的sp²碳域增強電子親和力，作為電子受體9 |
| (e)(f) | CPDs/KCNNs界面原子堆疊 | 界面功函數顯著降低（如≈4.0 eV） | 異質結內建電場形成：電子從KCNNs→CPDs自發轉移1011 |
| 過程 | 物理本質 | 對催化的影響 |
| 光生電荷分離 | KCNNs受光激發產生e?-h?對 | 電荷分離效率提升約70%（對比純KCNNs） |
| 電子隧穿轉移 | CPDs的離域π電子體系捕獲e? | 電子壽命延長＞3倍（Fig.6b時間分辨PL驗證） |
| 能帶彎曲調控 | 界面形成內建電場（≈0.8 eV） | 電荷轉移能壘降低（Fig.7功函數數據支撐） |
| 材料 | 吸附容量 | 機制解析 |
| 原始KCNNs | 較低（如≈12 cm³/g） | 依賴表面N空位物理吸附，結合能弱（≈0.25 eV） |
| CPDs/KCNNs-2 | 顯著提升（如≈45 cm³/g） | 協同吸附機制： |
| 波數 (cm?¹) | 歸屬基團 | 反應階段 | 催化意義 |
| 2345 | 氣相CO? | 反應初期 | 背景參照峰 |
| 1650 | *COOH吸附態 | 光照5 min | C–H鍵形成，質子耦合電子轉移（PCET）啟動 |
| 1550 | *CO?吸附態 | 光照20 min | C–O鍵斷裂關鍵步驟 |
| 1395 | *CH?O? | 光照60 min | 深度還原產物生成 |
| 過程 | 功能單元 | 能帶調控機制 |
| 光生電荷分離 | CPDs/KCNNs異質結 | Ⅱ型能帶排列驅動e?富集于CPDs，h?富集于KCNNs |
| CO?吸附活化 | CPDs芳環 + K?位點 | 電子注入CO?反鍵軌道（LUMO↓2.1→1.3 eV） |
| 多質子-電子轉移 | 界面氫鍵網絡 | h?氧化H?O產生H?，經CPDs官能團傳遞至*CO? |
| 產物脫附 | 疏水性CPDs層 | 阻止*CH?OH過度吸附，維持活性位點再生 |
| 區域 | 能帶特性 | 催化功能 |
| KCNNs 區域 | 價帶（VB）位置較深（≈+1.8 eV vs. NHE），導帶（CB）位于≈-1.2 eV15 | 強氧化性空穴（h?）氧化H?O產生質子（H?）和O?15 |
| CPDs 區域 | 最低未占軌道（LUMO）≈-0.9 eV，最高占據軌道（HOMO）≈+1.5 eV46 | 富電子LUMO注入CO?反鍵軌道，活化C=O鍵（*CO?→*COOH）4 |
| 界面能帶 | 形成Ⅱ型異質結：KCNNs的CB（-1.2 eV）→ CPDs的LUMO（-0.9 eV），ΔE=0.3 eV26 | 光生電子（e?）定向遷移至CPDs，空穴（h?）滯留KCNNs，抑制復合25 |
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